實(shí)驗室前身為1985年成立的中科院離子束開(kāi)放實(shí)驗室，歷經(jīng)30余年努力，突破了4-8英寸SOI硅片和12英寸大硅片關(guān)鍵技術(shù)并實(shí)現產(chǎn)業(yè)化，實(shí)驗室將進(jìn)一步開(kāi)展硅基二維...
高端硅基材料研究方向起源于1985年成立的中科院離子束開(kāi)放實(shí)驗室，最初主要集中在絕緣體上硅（SOI）材料相關(guān)研究領(lǐng)域，先后承擔863、973等多項國家攻關(guān)項目。...
硅基光電子方向，通過(guò)建設200mm硅光子專(zhuān)用工藝平臺，在硅基襯底上實(shí)現片上光源、高速電光調制器、高速探測器、無(wú)源光子回路等關(guān)鍵器件，開(kāi)展SOI材料在光電子...
極端微電子學(xué)面向集成電路國際學(xué)術(shù)前沿問(wèn)題和國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大需求，聚焦各種極端環(huán)境下的芯片應用，著(zhù)力開(kāi)展高性能高可靠集成電路工藝與設計平臺...
